SSD накопичувач Samsung 990 EVO 2 TB (MZ-V9E2T0BW)

.motherboard-template { font-family: Arial, sans-serif; font-size: 14px; color: #333; line-height: 1.6; } .motherboard-template h4 { margin-top: 25px; margin-bottom: 15px; color: #000; font-size: 18px; border-bottom: 2px solid #eee; padding-bottom: 5px; } .motherboard-template hr { border: 0; border-top: 1px solid #ddd; margin: 25px 0; } .motherboard-template ul { margin-bottom: 20px; padding-left: 20px; } .motherboard-template li { margin-bottom: 8px; } .motherboard-template .attb-custom { width: 100%; border-collapse: collapse; margin: 20px 0; } .motherboard-template .attb-custom caption { font-weight: bold; padding: 10px; font-size: 16px; text-align: left; color: #444; } .motherboard-template .attb-custom th, .motherboard-template .attb-custom td { border: 1px solid #ddd; padding: 10px; text-align: left; } .motherboard-template .attb-custom th { background-color: #f8f9fa; font-weight: bold; } Samsung 990 EVO 2 TB — Гнучкість інтерфейсів, висока енергоефективність та фірмова надійність Samsung 990 EVO 2 TB (MZ-V9E2T0BW) — це сучасний високопродуктивний внутрішній твердотільний накопичувач формату M.2 2280, створений для модернізації ігрових систем, робочих станцій та ноутбуків. Головною особливістю цієї моделі є унікальна гібридна сумісність: пристрій може працювати як у режимі PCI-E 4.0 x4, так і в новому PCI-E 5.0 x2 без втрати пропускної здатності. Завдяки фірмовій флеш-пам'яті V-NAND TLC та передовому контролеру власної розробки Samsung, накопичувач демонструє відмінний баланс швидкості, температурного режиму та енергоефективності, забезпечуючи плавне завантаження системи, важких додатків та сучасних ігор. Накопичувач забезпечує швидкість послідовного читання до 5000 МБ/с та запису до 4200 МБ/с, а показники випадкового читання та запису блоками 4KB досягають 700 000 та 800 000 IOPS відповідно. Це гарантує високу чуйність системи в умовах інтенсивної багатозадачності. Бездратова архітектура підтримує технологію HMB (Host Memory Buffer), яка використовує оперативну пам'ять ПК для оптимізації роботи за відсутності виділеного DRAM-буфера. Крім того, модель має вражаючий ресурс запису 1200 TBW та підтримує фірмове програмне забезпечення Samsung Magician для моніторингу стану та захисту даних. Ключові особливості Гібридний інтерфейс майбутнього: Повноцінна підтримка режимів роботи PCI-E 4.0 x4 та PCI-E 5.0 x2 для максимальної сумісності. Висока чуйність: Швидкість читання до 5000 МБ/с мінімізує час очікування під час завантаження ігор та великих файлів. Фірмові компоненти Samsung: Надійний контролер Samsung in-house та оригінальна багатошарова пам'ять V-NAND TLC. Технологія HMB: Ефективна оптимізація швидкодії завдяки використанню частини оперативної пам'яті комп'ютера. Тривалий термін служби: Високий гарантований ресурс запису (TBW) у 1200 ТБ та середній час безвідмовної роботи до 1.5 млн годин. Повна підтримка функцій оптимізації: Обов'язкова підтримка команди TRIM та апаратного захисту даних для стабільної роботи роками. Технічні характеристики Основні параметри Бренд / Серія Samsung / 990 EVO Модель MZ-V9E2T0BW Тип пристрою Внутрішній SSD накопичувач Об'єм пам'яті 2000 ГБ (2 ТБ) Форм-фактор M.2 2280 Швидкодія та Продуктивність Інтерфейс підключення M.2 (PCI-E 4.0 x4 / PCI-E 5.0 x2) Максимальна швидкість читання 5000 МБ/с Максимальна швидкість запису 4200 МБ/с Випадкове читання (блоки 4KB) 700 000 IOPS Випадковий запис (блоки 4KB) 800 000 IOPS Конструкція та Надійність Тип флеш-пам'яті NAND Samsung V-NAND TLC Контролер Samsung in-house Controller Підтримка команди TRIM Є Особливості архітектури HMB (Host Memory Buffer) Ресурс запису (TBW) 1200 ТБ Надійність (MTBF) 1.5 млн годин Стійкість до ударів 1500G / 0.5 мс Фізичні параметри Розміри (Д x Ш x В) 80 × 22 × 2.38 мм Маса 9 г