Видатна продуктивність для сучасних додатків
Накопичувач Transcend 110S сумісний зі стандартом NVMe 1.3 і використовує інтерфейс PCIe™ Gen3x4. Це означає, що він використовує чотири смуги для одночасної передачі та прийому даних, що забезпечує вражаючу швидкість читання до 1700 МБ/с і запису до 1400 МБ/с. Пам'ять підтримує сучасний стандарт NVM Express®, розроблений для задоволення вимог корпоративних і клієнтських додатків.
Інтерфейс PCI Express
Інтерфейс PCI Express® значно швидший, ніж SATA, для підключення комп'ютера до твердотільних накопичувачів за допомогою однієї або декількох ліній, що складаються з одного інтерфейсу передачі та одного послідовного інтерфейсу на кожній лінії, а це означає, що накопичувач може краще відповідати новим вимогам до продуктивності.
Новий вимір продуктивності
На відміну від старіших мікросхем NAND, флеш-пам'ять 3D NAND - це тип флеш-пам'яті, в якій комірки пам'яті розташовані вертикально в кілька шарів. Технологія 3D NAND була розроблена для подолання обмежень щільності пласкої 2D NAND, тому вона може забезпечити вищий рівень продуктивності та витривалості.
Покращена витривалість і вища надійність
Накопичувач Transcend 112S створено з використанням шифрування LDPC і потужного алгоритму ECC для забезпечення безпеки ваших даних. Виготовлений з використанням високоякісних мікросхем флеш-пам'яті NAND і розробленого механізму динамічного теплового дроселювання, накопичувач 112S гарантує чудову витривалість і стабільність, що ідеально підходить для високопродуктивних додатків. Щоб забезпечити найвищий рівень якості, твердотільні накопичувачі Transcend проходять ретельне тестування на всіх етапах виробництва, включаючи перевірку на вібрацію, температуру і вологість, швидкість і функціональність.
Особливості продукту
| Продукт |
| Виробник | Transcend |
| Код виробника | TS512GMTE112S |
| Основна інформація |
| Модель | 112S |
| Фізичні характеристики |
| Формат накопичувача | M.2 2280 |
| Товщина | 3.58 мм |
| Радіатор | Немає |
| Технічні характеристики |
| Об'єм накопичувача | 512 ГБ |
| Інтерфейс | PCI-E x4 Gen3 NVMe |
| Кеш-пам'ять | Немає даних |
| Тип пластин | TLC |
| Швидкість читання | 1700 МБ/с |
| Швидкість запису | 1400 МБ/с |
| Довільне читання | 140 000 IOPS |
| Випадковий запис | 250 000 IOPS |
| Номінальний час роботи | 2 мільйони годин |
| TBW (загальна кількість записаних байт) | 200 ТБ |
| Ключ | M |
| Апаратне шифрування | Ні |
| Контролер | Немає даних |
